1、請(qǐng)根據(jù)會(huì)員注冊(cè)表的要求,提供關(guān)于您或貴公司的真實(shí)、準(zhǔn)確、完整和反映當(dāng)前情況的材料;倘若您提供任何不真實(shí)、不準(zhǔn)確、不完整或不能反映當(dāng)前情況的資料,同惠電子企業(yè)官網(wǎng)將有權(quán)暫?;蚪K止您的注冊(cè)身份及資料,并拒絕您在當(dāng)前或?qū)?lái)對(duì)其它形式服務(wù)的使用。
2、如果您的資料有變更,請(qǐng)及時(shí)登錄本站進(jìn)行修改,以便有業(yè)務(wù)洽談合作時(shí)我們能及時(shí)聯(lián)系到您。
3、注冊(cè)成功并登錄后,可獲得本網(wǎng)站提供的產(chǎn)品相關(guān)資料下載服務(wù)。
4、本網(wǎng)站有權(quán)根據(jù)自身需要修改、增添和刪除本協(xié)議內(nèi)容的任何部分。如用戶不同意有關(guān)變更,可自行停止使用本網(wǎng)站的服務(wù)項(xiàng)目,用戶如果繼續(xù)使用則表示接受已修訂的條款
提示
下載支持實(shí)驗(yàn)
■ 肖特基勢(shì)壘特性及雜質(zhì)的測(cè)量
■ 電阻式傳感器的工作原理與測(cè)量
■ 場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)測(cè)試
■ PN結(jié)直流特性測(cè)試及PN結(jié)參數(shù)的變溫測(cè)試
■ 雙極型晶體管直流參數(shù)的測(cè)量
■ MOS器件靜態(tài)特性測(cè)試分析
■ MOS器件CV特性測(cè)試
■ MOS器件動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
■ 集成運(yùn)放特性分析測(cè)試(上、下)
順應(yīng)科技發(fā)展,引領(lǐng)人才教育
科技是第一生產(chǎn)力,人才是第一資源。
教育的首要任務(wù)是快速提升人才培養(yǎng)質(zhì)量,順應(yīng)新時(shí)代的發(fā)展步伐,從產(chǎn)業(yè)需求及國(guó)際形勢(shì)出發(fā),我國(guó)急需培養(yǎng)出一大批能夠開(kāi)展理論研究、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、掌握工藝流程以及研發(fā)管理的復(fù)合型人才,這就對(duì)高等教育的專業(yè)基礎(chǔ)實(shí)踐課程提出了更高的要求。
同惠電子成立以來(lái)一直專注于測(cè)量測(cè)試領(lǐng)域,結(jié)合自身再微電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域的測(cè)量測(cè)試經(jīng)驗(yàn),多年的產(chǎn)學(xué)研合作經(jīng)驗(yàn)以及上下游廠商對(duì)于人才能力的要求,針對(duì)性的設(shè)計(jì)了微電子實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),將實(shí)踐落實(shí)到教學(xué),測(cè)試?yán)砟钜氲浇虒W(xué)環(huán)節(jié)中,為微電子和半導(dǎo)體實(shí)踐教學(xué)提供了新的方向。
微電子教學(xué)平臺(tái)基本特點(diǎn)
■ 豐富的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目
微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)提供了多達(dá)九種實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目,涵蓋了微電子學(xué)、集成電路設(shè)計(jì)等方面。這些實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目旨在幫助學(xué)生全面了解微電子學(xué)的基本原理和集成電路設(shè)計(jì)的方法。
■ 靈活的實(shí)驗(yàn)配置
根據(jù)不同的教學(xué)需求和實(shí)驗(yàn)課程設(shè)置,微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)支持多種不同的實(shí)驗(yàn)配置。學(xué)生可以根據(jù)自己的興趣和需求選擇合適的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目,進(jìn)行個(gè)性化的學(xué)習(xí)和實(shí)踐。
實(shí)驗(yàn)平臺(tái)采用模塊化設(shè)計(jì),可根據(jù)不同教學(xué)需求、實(shí)驗(yàn)課程、方案預(yù)算等進(jìn)行任意配置。先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備
■ 先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備
微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用了先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和技術(shù),如最新科技產(chǎn)品:半導(dǎo)體CV特性測(cè)試儀、數(shù)字示波器、雙通道數(shù)字源表、信號(hào)源等,這些設(shè)備可以為學(xué)生提供真實(shí)的現(xiàn)實(shí)微電子設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試環(huán)境,有利于學(xué)生畢業(yè)后更快適應(yīng)微電子行業(yè)環(huán)境。
■ 易于操作的學(xué)習(xí)平臺(tái)
根據(jù)不同的教學(xué)需求和實(shí)驗(yàn)課程設(shè)置,微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)支持多種不同的實(shí)驗(yàn)配置。學(xué)生可以根據(jù)自己的興微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用了直觀的操作界面和友好的人機(jī)交互設(shè)計(jì),圖文化教學(xué)使學(xué)生能夠輕松地學(xué)習(xí)到微電子、集成電路、測(cè)試儀器的基本原理及實(shí)驗(yàn)操作。同時(shí),實(shí)驗(yàn)臺(tái)還提供了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)步驟和故障排除指南,幫助學(xué)生解決實(shí)驗(yàn)過(guò)程中遇到的問(wèn)題。
■ 高校集成電路學(xué)院
■ 高校微電子系
■ 高校物理系
■ 高校電子電工系
■ 微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)總體方案

■ 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
■ 肖特基勢(shì)壘特性及雜質(zhì)的測(cè)量

適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 掌握肖特基二極管的結(jié)構(gòu) | TH511E半導(dǎo)體器件CV特性分析儀 |
固體物理基礎(chǔ) | 掌握肖特基勢(shì)壘結(jié)的形成原理 | TH1992B精密源/測(cè)量單元 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 掌握肖特基二極管的整流特性和勢(shì)壘電容 | TH26011D直流偏置夾具 |
電子薄膜材料與器件 | 學(xué)會(huì)測(cè)量肖特基二極管的C-V特性 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
學(xué)會(huì)計(jì)算雜質(zhì)濃度 |
■ 電阻式傳感器的工作原理與測(cè)量
適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
硅光測(cè)試實(shí)驗(yàn) | 掌握各種不同電阻式傳感器原理 | TH511E 半導(dǎo)體器件CV特性分析儀 |
掌握LCR測(cè)量阻抗方式 |
■ 場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)測(cè)試
適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 掌握MOSFET基本結(jié)構(gòu)與工作原理 | TH1992B精密源/測(cè)量單元 |
固體物理基礎(chǔ) | 掌握MOSFET各參數(shù)的定義 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 掌握測(cè)量MOSFET轉(zhuǎn)移特性曲線與輸出特性曲線的方法 | 直流特性測(cè)試軟件 |
模擬集成電路 |
■ PN結(jié)直流特性測(cè)試及PN結(jié)參數(shù)的變溫測(cè)試

適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 掌握穩(wěn)壓二極管工作原理 | TH1992B精密源/測(cè)量單元 |
固體物理基礎(chǔ) | 掌握穩(wěn)壓二極管伏安特性和參數(shù)定義 | 恒溫箱 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 學(xué)會(huì)使用TH1902B型源表和恒溫箱測(cè)試二極管溫度特性 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
■ 雙極型晶體管直流參數(shù)的測(cè)量

適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 掌握雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)的定義 | TH1992B精密源/測(cè)量單元 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 掌握利用源表進(jìn)行雙極型晶體管輸入特性和輸出特性曲線的測(cè)量方法 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
模擬集成電路 | 了解雙極型晶體管輸出特性的常見(jiàn)缺陷及其產(chǎn)生的原因 |
■ MOS器件靜態(tài)特性測(cè)試分析
適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 掌握MOFFET飽和漏電流IDSS、閾值電壓VTH、跨導(dǎo)等測(cè)量方法 | TH1992B精密源/測(cè)量單元 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 掌握測(cè)量MOSFET輸出特性曲線的方法 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
模擬集成電路 | 直流特性測(cè)試軟件 |
■ MOS器件CV特性測(cè)試

適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 了解場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)參數(shù)與寄生電容 | TH511E半導(dǎo)體器件CV特性分析儀 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 熟悉動(dòng)態(tài)參數(shù)中Ciss 、Coss 、Crss 等的定義及危害 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
模擬集成電路 | 掌握動(dòng)態(tài)參數(shù)中Ciss 、Coss 、Crss 等的測(cè)量 | |
掌握動(dòng)態(tài)參數(shù)中Ciss 、Coss 、Crss 曲線掃描 |
■ MOS器件動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 掌握MOSFET開(kāi)啟過(guò)程 | 數(shù)字存儲(chǔ)示波器 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 掌握MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間定義 | 函數(shù)信號(hào)發(fā)生器 |
模擬集成電路 | 熟悉函數(shù)信號(hào)發(fā)生器使用 | 動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性分析軟件 |
熟悉數(shù)字存儲(chǔ)示波器使用 | 半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)盒 |
■ 集成運(yùn)放特性分析測(cè)試(上、下)
適用課程 | 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span> | 測(cè)量?jī)x器設(shè)備 |
半導(dǎo)體器件原理 | 了解集成電路的概念,熟悉集成運(yùn)放放大器的結(jié)構(gòu) | TH1992B精密源/測(cè)量單元 |
半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | 熟悉集成電路放大器中的各種參數(shù)概念 | TH1963A 數(shù)字多用表 |
數(shù)字集成電路 | 掌握集成電路放大器的參數(shù)測(cè)量方法 | 數(shù)字存儲(chǔ)示波器 |
模擬集成電路 | 函數(shù)信號(hào)發(fā)生器 | |
集成電路實(shí)驗(yàn)盒 |
■ 實(shí)驗(yàn)課程
序號(hào) | 實(shí)驗(yàn)名稱 | 理論課名稱 | 課程體系 |
1 | 半導(dǎo)體器件原理 固體物理基礎(chǔ) 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 電子薄膜材料與器件 | 半導(dǎo)體器件物理 | |
2 | 硅光測(cè)試實(shí)驗(yàn) | ||
3 | 場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)測(cè)試 | 半導(dǎo)體器件原理 固體物理基礎(chǔ) 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 模擬集成電路 | 半導(dǎo)體器件物理 半導(dǎo)體器件可靠性 |
4 | PN結(jié)直流特性測(cè)試及PN結(jié)參數(shù)的變溫測(cè)試 | 半導(dǎo)體器件原理 固體物理基礎(chǔ) 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) | |
5 | 雙極型晶體管直流參數(shù)的測(cè)量 | 半導(dǎo)體器件原理 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 模擬集成電路 | |
6 | MOS器件靜態(tài)特性測(cè)試分析 | 半導(dǎo)體器件原理 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 模擬集成電路 | 半導(dǎo)體器件物理 半導(dǎo)體器件可靠性 集成電路原理與設(shè)計(jì) |
7 | MOS器件CV特性測(cè)試 | 半導(dǎo)體器件原理 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 模擬集成電路 | |
8 | MOS器件動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 | 半導(dǎo)體器件原理 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 模擬集成電路 | |
9 | 集成運(yùn)放特性分析測(cè)試(上、下) | 半導(dǎo)體器件原理 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) 數(shù)字集成電路 | |