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TH530系列雪崩測(cè)試儀是同惠電子針對(duì)于半導(dǎo)體器件UIS （EAS）、EAR參數(shù)測(cè)量問題的解決方案。

主要用于測(cè)量MOSFET 、IGBT 、Diode和雙極性器件（帶鉗位）的雪崩擊穿特性（電壓、能量等）。通過給被測(cè)器件施加可控制的感性能量，判斷出被測(cè)器件是否能正常吸收和承受電感釋放的能量。經(jīng)過雪崩測(cè)試的器件，就可安全地用于有反向電動(dòng)勢(shì)的感性負(fù)載上。

快速選型

A. 泄漏測(cè)試:可選擇啟用

每次雪崩測(cè)試前，在柵極電壓設(shè)置為0的情況下，用戶設(shè)置的泄漏電壓會(huì)被施加到被測(cè)件上，讀取電流檢測(cè)器測(cè)量值。根據(jù)測(cè)試儀的設(shè)置，可以在雪崩測(cè)試前、測(cè)試后或測(cè)試前后對(duì)被測(cè)件進(jìn)行泄漏測(cè)試。這不是測(cè)量實(shí)際漏電電流，而是確定被測(cè)件或測(cè)試夾具中是否存在短路的簡(jiǎn)單測(cè)試。

測(cè)試儀內(nèi)部的漏電穩(wěn)壓器電壓可從2V設(shè)置到為被測(cè)試裝置雪崩測(cè)試設(shè)置的漏極電壓。漏電流大于1mA會(huì)被檢測(cè)為漏電故障。漏電流最大限制為 8mA。

B. 雪崩測(cè)試原理

當(dāng)高速開關(guān)和被測(cè)件接通時(shí)， 漏極電流增加，到達(dá)指定的比較點(diǎn)時(shí)，高速開關(guān)與柵極關(guān)斷，斷開漏極電壓電源。關(guān)斷時(shí)，電感中存儲(chǔ)的能量會(huì)產(chǎn)生較高的電壓，迫使被測(cè)件（以NMOS為例）進(jìn)入雪崩狀態(tài)，電流路徑由續(xù)流二極管維持。 因此，電感器中存儲(chǔ)的所有能量都轉(zhuǎn)移到了被測(cè)件上。此時(shí)電感上能量即為設(shè)定的可控?fù)舸┠芰?，也即NMOS的雪崩能量（EAS）。

C. 測(cè)試結(jié)果波形

TH530可捕捉被測(cè)設(shè)備的電壓和電流波形，測(cè)試儀可將波形保存到測(cè)試結(jié)果文件中，在顯示屏幕上用戶最多可查看最近四次的波形數(shù)據(jù)。

為便于用戶查看，測(cè)試儀默認(rèn)同時(shí)顯示電壓電流波形，用戶仍可觸摸“電壓”或“電流”來(lái)單獨(dú)查看對(duì)應(yīng)波形。

? 功率半導(dǎo)體的研發(fā)與制造

評(píng)估半導(dǎo)體器件的雪崩耐量，確保其能承受電路中感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的高壓尖峰，保證出廠質(zhì)量的可靠性。例如：IGBT 、MOSFET、功率二極管。

? 電源設(shè)備設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

驗(yàn)證設(shè)備在輸出短路等異常情況下，功率器件是否能承受因初級(jí)電感和大電流引起的雪崩能量而不損壞。例如：開關(guān)電源、逆變器等設(shè)備的功率器件。

? 新能源汽車與工業(yè)驅(qū)動(dòng)

確保器件能應(yīng)對(duì)電機(jī)啟動(dòng)、堵轉(zhuǎn)等特殊工況下感性負(fù)載產(chǎn)生沖擊電流和電壓尖峰，確保系統(tǒng)安全。例如：電機(jī)控制器（如變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器）中功率開關(guān)器件。