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當(dāng)前頁面: 首頁 應(yīng)用 汽車電子
汽車充電樁MOS管CV特性測試
日期:2023-05-25 14:13:53

研究背景

隨著我國加快實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo),電氣化替代已成為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的關(guān)鍵。近年來新能源呈爆發(fā)式增長,充電樁作為新能源汽車的基礎(chǔ)配套設(shè)備,其數(shù)量與質(zhì)量也是消費(fèi)者選擇電動汽車的重要影響因素。當(dāng)前,MOSFET在國內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用,是新能源汽車充電樁的心臟

MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱MOS管,主要有三個(gè)引腳:漏極、源極和柵極,屬于絕緣柵型,其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻。

 

圖片3.png


為什么要測試MOSFET的好壞?

在充電樁中,開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,MOS管可以利用電場效應(yīng)來控制其電流大小,當(dāng)使用有故障的MOS管時(shí),會發(fā)生漏極到柵極的短路,對電路有害,而MOS管是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換,確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件,具體測試方案如下:

 

測試對象

圖片4.png

測試要求

VGS:20V左右,VDS0-1000V,做來料檢測,需要能呈現(xiàn)MOS產(chǎn)品規(guī)格書里的C-V特性曲線,測試輸入、輸出、反向傳輸電容。

測試過程

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MOSFETIGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù):Ciss、CossCrss、Rg,Cies、CoesCres、Rg均可一鍵測試,TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀10.1寸大屏可同時(shí)將測量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示,一目了然。

 圖片6.png

一鍵測試單管器件器件時(shí),無需頻繁切換測試腳位、測量參數(shù)、測量結(jié)果,大大提高了測試效率。

 

①列表測試,多個(gè)、多芯、模組器件測量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測試,所有測量參數(shù)通過列表掃描模式同時(shí)顯示測試結(jié)果及判斷結(jié)果。

圖片7.png

②曲線掃描功能(選件)

MOSFET的參數(shù)中,CV特性曲線也是一個(gè)非常重要的指標(biāo),如下圖

圖片8.png

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,可以以對數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描,可同時(shí)顯示多條曲線:同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。

圖片9.png

③獨(dú)創(chuàng)的接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動化測試隱患

在高速測試特別是自動化測試中,經(jīng)常會由于快速插拔或閉合,造成測試治具或工裝表面磨損而接觸不良,接觸不良造成的最直接后果是誤判測試結(jié)果而難以發(fā)現(xiàn),在廢品率突然增加或發(fā)出產(chǎn)品故障原因退回時(shí)才會發(fā)現(xiàn),因此是一個(gè)極大的隱患。

圖片10.png

同惠TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀采用了獨(dú)特的硬件測試方法,可及時(shí)發(fā)現(xiàn)接觸不良故障,出現(xiàn)故障之后自動停止測試并在測試界面提供接觸不良點(diǎn)提示。

圖片11.jpg

保障了結(jié)果的準(zhǔn)確性,同時(shí)利于客戶及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題,避免了不良品率提高及故障品退回等帶來的損失。

 

④獨(dú)創(chuàng)的快速通斷測試(OP_SH),排除損壞器件

在半導(dǎo)體器件特性測試時(shí),由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下,測試雜散電容仍有可能被為合格,而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是最重要的特性。

因此,對于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測試是完全沒有必要的,不僅僅浪費(fèi)了測量時(shí)間,同時(shí)會由于C-V合格而混雜在良品里,導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來損失.

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能。

圖片12.jpg

 

⑤獨(dú)創(chuàng)模組式器件設(shè)置,支持定制

針對模組式器件如雙路(DualMOSFET、多組式IGBT,有些器件會有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化,常見模組式芯片Demo已內(nèi)置,特殊芯片支持定制。

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“攜手同心,惠及未來”,從1994年開始,同惠電子始終堅(jiān)持29年如一日,全心全意做產(chǎn)品,從品質(zhì)入手,潛心研發(fā)電子測量儀器,聽取大家的反饋,不斷改進(jìn)。做儀器,我們是認(rèn)真的!


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